Lithium: seconda parte de "Le frontiere del silicio"
Pubblicato il seguito dell'articolo "Le frontiere del silicio" che tratta di tecniche di integrazione per la realizzazione di transistor di dimensioni sempre minori
di Andrea Bai pubblicata il 01 Marzo 2003, alle 10:42 nel canale UncategorizedSul sito web Lithium è stata pubblicata la seconda parte dell'articolo "Le frontiere del Silicio". La prima parte, segnalata in questa news, trattava della particolare tecnica chiamata "Low-K" che permette di limitare alcuni fenomeni fisici che si verificano in casi di integrazione spinta.
In questa parte sarà invece trattata particolare tecnica "Strained Silicon" che, come dice il nome stesso (Silicio stirato) consiste nella modifica del reticolo cristallino rendendolo più "lungo" dell'1% circa, in combinazione con l'impiego del Silicio-Germanio, caratterizzato da alcune proprieta tra cui l’elevata mobilità elettronica, facilità di integrazione e, ultimo ma non meno importante la possibilità di costruire dispositivi analogici di "impacchettarli" accanto a quelli digitali.
Consigliamo la lettura dell'articolo, pubblicato a questo indirizzo.
0 Commenti
Gli autori dei commenti, e non la redazione, sono responsabili dei contenuti da loro inseriti - infoDevi effettuare il login per poter commentare
Se non sei ancora registrato, puoi farlo attraverso questo form.
Se sei già registrato e loggato nel sito, puoi inserire il tuo commento.
Si tenga presente quanto letto nel regolamento, nel rispetto del "quieto vivere".