AMD e IBM introducono un nuovo processo produttivo

AMD e IBM hanno rilasciato congiuntamente un comunicato stampa, con il quale annunciano lo sviluppo di nuove tecniche di produzione per transistor strained silicon, che beneficia di una migliore gestione del consumo a parità di frequenza di clock.
Mancano dettagli precisi in merito, ma stando a quanto deducibile dalla press release sembrerebbe che tale processo permetterebbe di aumentare le frequenze di lavoro dei transistor, e di conseguenza dell'intero processore, sino a un massimo del 24% mantenendo invariati i livelli di potenza dissipata.

Il nuovo processo, chiamato Dual Stress Liner, può essere introdotto nella produzione senza richiedere l'utilizzo di nuove apparecchiature. Per questo motivo, sia AMD che IBM introdurranno questa nuova tecnologia produttiva a partire dalla prima metà del 2005, rispettivamente con i processori Athlon 64 e Power PC costruiti con processo a 0.09 micron.

Di seguito un estratto del comunicato stampa rilasciato da AMD e IBM:

SUNNYVALE, CA and EAST FISHKILL, NY-December 13, 2004-AMD and IBM today announced that they have developed a new and unique strained silicon transistor technology aimed at improving processor performance and power efficiency. The breakthrough process results in up to a 24 percent transistor speed increase, at the same power levels, compared to similar transistors produced without the technology.

Faster, more power-efficient transistors are the building blocks of higher performance, lower power processors. As transistors get smaller, they operate faster, but also risk operating at higher power and heat levels due to electrical leakage or inefficient switching. AMD and IBM's jointly developed strained silicon helps overcome these challenges. In addition, this process makes AMD and IBM the first companies to introduce strained silicon that works with silicon-on-insulator (SOI) technology, resulting in an additive performance and power savings benefit.

The new strained silicon process, called "Dual Stress Liner," enhances the performance of both types of semiconductor transistors, called n-channel and p-channel transistors, by stretching silicon atoms in one transistor and compressing them in the other. The dual stress liner technique works without the introduction of challenging, costly new production techniques, allowing for its rapid integration into volume manufacturing using standard tools and materials.